泰克示波器MSO5系列功率器件动态参数/双脉冲测试解决方案
- 作者：admin
- 时间：2020-03-26 09:51
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1、功率器件动态参数/双脉冲测试解决方案
【测试需求】
功率器件如场效应晶体管(MOSFET)和绝缘门双极晶体管(IGBT)，这些功率器件提供了快速开关速度，能够耐受没有规律的电压峰值， 被广泛应用于电源转换产品的设计。尤其新第三代半导体SiC和GaN快速发展和应用可以毫不夸张的说给电源行业带来颠覆性的变化。对于设计工程师来说却带来了非常大的测试挑战，如何保证选用的高速功率器件能稳定可靠的运行在自己的电源产品中，我们需要了解功率器件的动态特性：
- 1. 器件在不同温度的特性
- 2. 短路特性和短路关断
- 3. 栅极驱动特性
- 4. 关断时过电压特性
- 5. 二极管回复特性
- 6. 开关损耗测试等
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【测试平台搭建】
泰克推出了IGBT Town功率器件支持单脉冲，双脉冲及多脉冲测试方案，集成强大的发生装置，数据测试装置及软件。用户可以自定义测试条件，测试项目包含：
Toff, td(off), tf(Ic),Eoff, Ton, td(on),tr(Ic), Eon, di/dt, dv/dt, Err, qrr, Irr based on IEC60747
- 1. AFG31000产生双脉冲驱动信号。
- 2. ISOvU光隔离探头准确测试Vgs和Vds电压信号。
- 3. MSO5示波器运行IGBT town 软件进行设定和自动测试。
采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN™的动态参数。左下的测试提示Ic off是因为英飞凌的CoolGaN™完全没有反向恢复电流，从测试数据中可以看到基于英飞凌的CoolGaN™专用驱动1EDF5673K下的CoolGaN™ IGO60R070D1速度还是非常快的，而且完全没有反向恢复损耗。
【方案特点】
- 1. 可靠、可重复地测试IGBT及MOSFET（包括第三代半导体器件SiC、GaN）功率半导体动态特征
- 2. 测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极驱动，开关损耗等参数
- 3. 适用于用户对测试环境的自定义
- 4. 全部使用泰克示波器及原厂电源探头，可准确补偿探头的延迟，专用的开关损耗算法，提供可靠的测试结果。
- 5.独特的ISOvU 探头，高800MHz带宽高达120dB共模抑制比，准确测试驱动信号的真实情况。
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